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CT-6B托卡马克装置上电流上升阶段电子温度的光谱测量

刘翔 李孝昌 李赞良 王文书 李文莱

CT-6B托卡马克装置上电流上升阶段电子温度的光谱测量

刘翔, 李孝昌, 李赞良, 王文书, 李文莱
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-28
  • 刊出日期:  2005-07-08

CT-6B托卡马克装置上电流上升阶段电子温度的光谱测量

  • 1. (1)成都科学技术大学高温高压物理研究所; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 在CT-6B托卡马克装置上,用一米掠入射真空紫外单色仪测量了氧杂质各阶离子OII-OVI的谱线辐射的时间变化,用HCN远红外激光干涉仪测量了电子密度的时间变化。利用谱线时间史的方法,由谱线起始时间估算了放电初期电流上升阶段电子温度的时间变化。用数值计算分别考察了氧杂质进入通量和约束时间对谱线峰值强度和起始时间的影响。估算得到的电子温度在放电开始后0.36,0.56,0.66,0.90和1.4ms,分别为3.6,5.6,7.3,10.8和21eV,它们反映了放电初期等离子体中心区电子温度的变化。

English Abstract

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