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一族一维准晶的局部电子性质

颜晓红 颜家壬 钟建新 游建强

一族一维准晶的局部电子性质

颜晓红, 颜家壬, 钟建新, 游建强
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-09-25
  • 刊出日期:  2005-07-03

一族一维准晶的局部电子性质

  • 1. 湘潭大学科学技术研究所,湘潭411105
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文利用推广的实空间重整化群方法,研究按膨胀规则(A,B)→(AnB,A)构造的一族一维泛Fibonacci准晶系(An序列)的局部电子性质。所引入的2n2+1种基本变换可计算该族一维准晶中任一An序列在任意格点的局部格林函数和局部态密度。结果表明,该方法是有效的,An链的电子局部态密度象Fibonacci准晶一样,呈现临界性。

English Abstract

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