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硅化物薄膜的质子弹性散射分析

朱沛然 江伟林 徐天冰 殷士端

硅化物薄膜的质子弹性散射分析

朱沛然, 江伟林, 徐天冰, 殷士端
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-12-11
  • 刊出日期:  1992-06-05

硅化物薄膜的质子弹性散射分析

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080

摘要: 本文报道了一种分析硅衬底上SiNx和SiOx的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeVHe的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeVH束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。

English Abstract

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