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热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

霍凤萍 吴荣归 徐桂英 牛四通

热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

霍凤萍, 吴荣归, 徐桂英, 牛四通
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  • 以Pb粉、Te粉、Ag粉、Ge粉为原材料,在真空气氛下合成(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x (x=8090) (TAGS)合金热电材料, X射线衍射(XRD)分析表明,热压烧结后合金具有低温菱形结构. 通过热压烧结法将TAGS粉末制备成块体材料,运用XRD和扫描电子显微镜对材料的物相成分、晶体结构和形貌进行了表征.采用直流四探针法测定样品的电导率,当样品两端的温差为14℃ 的情况下测量Seebeck系数.通过材料热电性能测试,研究了30500℃温度范围内不同组分 样品性能参数的变化.结果表明,所制备的TAGS热电材料具有纳米结构, 其性能随着组分的变化而变化, TAGS-80具有较好的热电性能,在530℃时具有最高热电优值(ZT=1.80).
    [1]

    Chen G, Dresselhaus M S, Dresselhaus G, Fleurial J P, Caillat T 2003 Int. Mater. Rev. 48 45

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    Goldsmid H J 1986 Electronic Refrigeration (London: Pion) p10

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    Rowe D M 1996 Conversion and Application of Thermoelectric Material (Beijing: Weapon Industry Press) pp2, 19 (in Chinese) [Rowe D M 1996 温差电转换及其应用(中译本)(北京:兵器工业出版社) 第2,19页]

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    Zhang S N, He J, Ji X H 2009 J. Electron. Mater. 38 1142

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    Cui J L, Fu H, Yan Y M 2010 J. Electron. Mater. 39 1493

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    [11]

    Cook B A, Wu X Z 2007 J. Mater. Lett. 42 7643

    [12]

    Yuefei A Φ 1958 Thermoelectric Dipole of Semiconductor (Beijing: Science Press) p28 (in Chinese) [约飞 A Φ 1958 半导体温差电偶(中译本)(北京:科学出版社) 第28页]

    [13]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2005 Physial of Semiconductor (6th ed) (Beijing: Electronic Industry Press) p372 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 2005 半导体物理学(第6版) (北京:电子工业出版社) 第372页]

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-13
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

热压制备(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x合金的热电性能

  • 1. 北京科技大学材料科学与工程学院, 北京市新能源材料重点实验室, 北京 100083

摘要: 以Pb粉、Te粉、Ag粉、Ge粉为原材料,在真空气氛下合成(AgSbTe2)100-x-(GeTe)x (x=8090) (TAGS)合金热电材料, X射线衍射(XRD)分析表明,热压烧结后合金具有低温菱形结构. 通过热压烧结法将TAGS粉末制备成块体材料,运用XRD和扫描电子显微镜对材料的物相成分、晶体结构和形貌进行了表征.采用直流四探针法测定样品的电导率,当样品两端的温差为14℃ 的情况下测量Seebeck系数.通过材料热电性能测试,研究了30500℃温度范围内不同组分 样品性能参数的变化.结果表明,所制备的TAGS热电材料具有纳米结构, 其性能随着组分的变化而变化, TAGS-80具有较好的热电性能,在530℃时具有最高热电优值(ZT=1.80).

English Abstract

参考文献 (13)

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