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透明导电氧化物CuScO2的密度泛函理论研究

方志杰 莫曼 朱基珍 杨浩

透明导电氧化物CuScO2的密度泛函理论研究

方志杰, 莫曼, 朱基珍, 杨浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-30
  • 修回日期:  2012-06-17
  • 刊出日期:  2012-11-05

透明导电氧化物CuScO2的密度泛函理论研究

  • 1. 广西工学院信息与计算科学系, 柳州 545006;
  • 2. 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11147195)、 广西理工科学实验中心经费(批准号: LGZXKF201204)和广西教育厅科研项目(批准号: 200103YB102)资助的课题.

摘要: 本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究透明导电氧化物CuScO2能带结构、态密度和杂质能级. 计算结果表明, CuScO2的价带区主要由Cu的3d态和O的2p态构成, 而导带区主要由Sc的3d态组成. 在进行+U修正之后, 随着U参量的增加, CuScO2的导带区发生分裂导致导带扩大, 带隙也随之扩大, 表明+U计算能较好地改进CuScO2带隙值; 本文还比较分析了各种掺杂元素在CuScO2的杂质能级, 发现Mg原子替位掺杂Sc能有效改善CuScO2的 p型导电性能.

English Abstract

参考文献 (26)

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