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p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响

王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅

p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响

王晓勇, 种明, 赵德刚, 苏艳梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-12
  • 修回日期:  2012-05-18
  • 刊出日期:  2012-11-05

p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 纳米光电子实验室, 北京 100083;
  • 2. 中国科学院半导体研究所, 集成光电子国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60776047)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2007AA03Z401)资助的课题.

摘要: 通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程, 得到了p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布, 研究了Al组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响, 给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构. 实验结果表明: 随着Al组分的增加, 异质结界面处势阱明显加深变窄, 这使得2DHG的峰值密度加速上升, 也使得面空穴密度近直线上升; 压电极化效应也明显使界面处势阱加深变窄, 并且使费米能级向势垒顶端移动, 峰值浓度的位置向界面处移动; 另外, 价带带阶高度和受主杂质浓度对2DHG的影响较小. 利用这层2DHG制作的p-AlxGa1-xN的欧姆接触, 电流电压特性明显好于直接制作的电极, 说明了2DHG可以显著改善p-AlxGa1-xN的欧姆接触性能.

English Abstract

参考文献 (17)

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