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反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

宋久旭 杨银堂 郭立新 王平 张志勇

反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

宋久旭, 杨银堂, 郭立新, 王平, 张志勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-05-07
  • 修回日期:  2012-06-21
  • 刊出日期:  2012-12-05

反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

  • 1. 西安电子科技大学 理学院, 西安 710071;
  • 2. 西安石油大学 电子工程学院,西安 710065;
  • 3. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学 微电子学院, 西安 710071;
  • 4. 西北大学 信息科学与技术学院,西安 710127
    基金项目: 

    中国博士后科学基金(批准号: 201104619)和陕西省教育厅自然科学基金(批准号: 2010JK775)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5, 5) 单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究. 纳米管进行结构优化的结果显示, CSi缺陷在纳米管表面形成了凹陷, SiC缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级, 使纳米管表现出n型导电的特点, 由价带顶到缺陷能级的跃迁, 在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰.

English Abstract

参考文献 (17)

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