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基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理

任兴荣 柴常春 马振洋 杨银堂 乔丽萍 史春蕾

基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理

任兴荣, 柴常春, 马振洋, 杨银堂, 乔丽萍, 史春蕾
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-19
  • 修回日期:  2012-10-23
  • 刊出日期:  2013-03-20

基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60776034)资助的课题.

摘要: 建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型, 对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真. 结果表明, BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化, 低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致, 烧毁点位于发射结柱面区; 而在高脉冲幅度下, 由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+ 二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁; BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小, 而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势, 因而存在一个极小值和一个极大值. 仿真与实验结果的比较表明, 本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置, 而且能够得到损伤能量.

English Abstract

参考文献 (17)

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