偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究

李兴冀; 兰慕杰; 刘超铭; 杨剑群; 孙中亮; 肖立伊; 何世禹

doi:10.7498/aps.62.098503

摘要

本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验. 在辐照试验过程中, 针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件, 研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响. 使用Keithley 4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系. 测试结果表明, 在相同的辐照注量条件下, 发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大; 发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小; 发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.

关键词:

作者及机构信息

1.
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001;

2.
哈尔滨工业大学航天学院, 哈尔滨 150001

基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11205038)和中国博士后科学基金(批准号:2012M510951)资助的课题.

参考文献

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施引文献

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偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究

摘要

作者及机构信息

1.
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001;

2.
哈尔滨工业大学航天学院, 哈尔滨 150001

参考文献

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偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究

English Abstract

The influence of bias conditions on ionizing radiation damage of NPN and PNP transistors

1.
School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China;

2.
School of Astronautics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China

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偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究

English Abstract

The influence of bias conditions on ionizing radiation damage of NPN and PNP transistors

1. School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China; 2. School of Astronautics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China

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