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退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响

李晓静 赵德刚 何晓光 吴亮亮 李亮 杨静 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生

退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响

李晓静, 赵德刚, 何晓光, 吴亮亮, 李亮, 杨静, 乐伶聪, 陈平, 刘宗顺, 江德生
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-06-17
  • 修回日期:  2013-07-16
  • 刊出日期:  2013-10-05

退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响

  • 1. 中国科学院半导体所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号: 60925017)、国家自然科学基金(批准号: 10990100, 61176126) 和清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题.

摘要: 研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响. 采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率. 结果表明, 较适宜的退火温度为500 ℃左右, 退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大; 较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛, 且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著. 经过对退火条件的优化, 得到的比接触电阻率可达7.65×10-4 Ω·cm2.

English Abstract

参考文献 (17)

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