搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

醇热反应低温合成锰钴镍热敏薄膜

陈雪颖 徐金宝 边亮 王磊 熊信谦 高博

醇热反应低温合成锰钴镍热敏薄膜

陈雪颖, 徐金宝, 边亮, 王磊, 熊信谦, 高博
PDF
导出引用
导出核心图
  • 锰钴镍复合氧化物是一种具有半导体性质的热敏材料. 本文采用金属有机沉积技术于室温条件下、在Si衬底上沉积一定 厚度的Mn1.74Co0.72Ni0.54O4金属 有机化合物薄膜, 并通过醇热反应进行低温结晶化合成, 可得到Mn1.74Co0.72Ni0.54O4结晶薄膜. 通过X 射线衍射、场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 以及阻温特性等测试方法表征, 讨论了醇热反应对锰钴镍热敏薄膜的物相结构、微观形貌以及电学性能的影响. X射线衍射图显示薄膜已出现尖晶石结构的特征峰. 电镜照片说明结晶薄膜的表面较为平整、孔隙率低. 阻温特性关系表明薄膜具有明显的负温度系数效应, 室温(≈27°) 电阻率约为303.13 Ω·cm.
    • 基金项目: 新疆自然科学基金青年基金(批准号:2011211B49);核废物与环境安全国防重点学科实验室开发基金(批准号:12zxnp05);中国科学院"百人计划"项目(批准号:1029271301);中国科学院"西部之光"一般项目(批准号:Y22S601301,Y12S311301);西部博士项目(批准号:XBBS201025);国家自然科学基金(批准号:21103225)和中国科学院西部之光基金(批准号:XBBS201111)资助的课题.
    [1]

    Kukuruznyak D A, Bulkley S A, Omland K A, Ohuchi F S, Gregg M C 2001 Thin Solid Films 385 89

    [2]

    Hu W, Qin N, Wu G H, Lin Y, Li S, Bao D H 2012 J. Am. Chem. Soc. 134 14658

    [3]

    Yuan C L, Liu X Y, Liang M F, Zhou C R, Wang H 2011 Sens. Actuators A 167 291

    [4]

    Cheng F Y, Shen J, Peng B, Pan Y D, Tao Z L, Chen J 2011 J. Nat. Chem. 3 79

    [5]

    Kanade S A, Puri V 2006 Mater. Lett. 60 1428

    [6]

    Ge Y J, Huang Z M, Hou Y, Qin J H, Li T X, Chu J H 2008 Thin Solid Films 516 5931

    [7]

    Kanade S A, Puri V 2009 J. Alloys Compd. 475 352

    [8]

    He L, Ling Z Y, Huang Y T, Liu Y S 2011 Mater. Lett. 65 1632

    [9]

    Song W K, Schulze H M, Saint John D B, Podraza N J, Dickey E C, Trolier McKinstry S S 2012 J. Am. Ceram. Soc. 95 2562

    [10]

    Sun J J, Tuo W L, Chang A M, Zhao Q, Lan Y Q 2006 J. Funct. Mater. Devices 12 361 (in Chinese) [孙俊菊, 妥万禄, 常爱民, 赵青, 兰玉歧 2006 功能材料与器件学报 12 361]

    [11]

    Wang L M, Wei Z R, Wu F 2002 J. Heb. Univer. (Nat Sci. Edition) 22 345 (in Chinese) [王立明, 韦志仁, 吴峰 2002 河北大学学报 (自然科学版) 22 345]

    [12]

    Prado-Gonjal J, Ávila D, Villafuerte-Castrejón M E, González-García F, Fuentes L, Gómez R W, Pérez-Mazariego J L, Marquina V, Morán E 2011 Solid State Sci 13 2030

    [13]

    Tan H, Tao M D, Song S G 1994 Funct. Mater. 25 350 (in Chinese) [谭辉, 陶明德, 宋世庚 1994 功能材料 25 350]

    [14]

    Yuan R L, Shi E W, Xia C T, Wang B G, Zhong W Z 1996 Acta Phys. Sin. 12 131 (in Chinese) [元如林, 施尔畏, 夏长泰, 王步国, 仲维卓 1996 物理学报 12 131]

    [15]

    Shweta J, Sunit R, Suresh G, Amalnerkar D 2011 Microelectron. Eng. 88 82

    [16]

    Sun S Y, Zhang Q H, Yu J G 2010 J. Inorg. Mater. 25 626

    [17]

    Zhang L, Zhang Y, Deng J G, Dai H X 2012 J. Nat. Gas Chem. 21 69

    [18]

    Basu A, Brinkman A W, Schmida R, Klusek Z, Kowalczyk P, Datta P K 2004 J. Eu. Ceram. Soc. 24 1149

    [19]

    Park K 2006 J. Eu. Ceram. Soc. 26 909

    [20]

    Jadhav R, Kulkarni D, Puri V 2010 J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21 503

    [21]

    He L, Ling Z Y 2011 Appl. Phys. Lett. 98 242112

    [22]

    Ma J, Hu J M, Li Z, Nan C W 2011 Adv. Mater. 23 1062

    [23]

    Kulkarni D C, Patil S P, Puri V 2008 Microelectron. J. 39 248

  • [1]

    Kukuruznyak D A, Bulkley S A, Omland K A, Ohuchi F S, Gregg M C 2001 Thin Solid Films 385 89

    [2]

    Hu W, Qin N, Wu G H, Lin Y, Li S, Bao D H 2012 J. Am. Chem. Soc. 134 14658

    [3]

    Yuan C L, Liu X Y, Liang M F, Zhou C R, Wang H 2011 Sens. Actuators A 167 291

    [4]

    Cheng F Y, Shen J, Peng B, Pan Y D, Tao Z L, Chen J 2011 J. Nat. Chem. 3 79

    [5]

    Kanade S A, Puri V 2006 Mater. Lett. 60 1428

    [6]

    Ge Y J, Huang Z M, Hou Y, Qin J H, Li T X, Chu J H 2008 Thin Solid Films 516 5931

    [7]

    Kanade S A, Puri V 2009 J. Alloys Compd. 475 352

    [8]

    He L, Ling Z Y, Huang Y T, Liu Y S 2011 Mater. Lett. 65 1632

    [9]

    Song W K, Schulze H M, Saint John D B, Podraza N J, Dickey E C, Trolier McKinstry S S 2012 J. Am. Ceram. Soc. 95 2562

    [10]

    Sun J J, Tuo W L, Chang A M, Zhao Q, Lan Y Q 2006 J. Funct. Mater. Devices 12 361 (in Chinese) [孙俊菊, 妥万禄, 常爱民, 赵青, 兰玉歧 2006 功能材料与器件学报 12 361]

    [11]

    Wang L M, Wei Z R, Wu F 2002 J. Heb. Univer. (Nat Sci. Edition) 22 345 (in Chinese) [王立明, 韦志仁, 吴峰 2002 河北大学学报 (自然科学版) 22 345]

    [12]

    Prado-Gonjal J, Ávila D, Villafuerte-Castrejón M E, González-García F, Fuentes L, Gómez R W, Pérez-Mazariego J L, Marquina V, Morán E 2011 Solid State Sci 13 2030

    [13]

    Tan H, Tao M D, Song S G 1994 Funct. Mater. 25 350 (in Chinese) [谭辉, 陶明德, 宋世庚 1994 功能材料 25 350]

    [14]

    Yuan R L, Shi E W, Xia C T, Wang B G, Zhong W Z 1996 Acta Phys. Sin. 12 131 (in Chinese) [元如林, 施尔畏, 夏长泰, 王步国, 仲维卓 1996 物理学报 12 131]

    [15]

    Shweta J, Sunit R, Suresh G, Amalnerkar D 2011 Microelectron. Eng. 88 82

    [16]

    Sun S Y, Zhang Q H, Yu J G 2010 J. Inorg. Mater. 25 626

    [17]

    Zhang L, Zhang Y, Deng J G, Dai H X 2012 J. Nat. Gas Chem. 21 69

    [18]

    Basu A, Brinkman A W, Schmida R, Klusek Z, Kowalczyk P, Datta P K 2004 J. Eu. Ceram. Soc. 24 1149

    [19]

    Park K 2006 J. Eu. Ceram. Soc. 26 909

    [20]

    Jadhav R, Kulkarni D, Puri V 2010 J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21 503

    [21]

    He L, Ling Z Y 2011 Appl. Phys. Lett. 98 242112

    [22]

    Ma J, Hu J M, Li Z, Nan C W 2011 Adv. Mater. 23 1062

    [23]

    Kulkarni D C, Patil S P, Puri V 2008 Microelectron. J. 39 248

  • [1] 梁冰青, 王荫君, 陈 熹. Ag2+δTe薄膜的低温纵向磁电阻效应. 物理学报, 1999, 48(13): 35-39. doi: 10.7498/aps.48.35
    [2] 王德宁, 陈红, 王渭源. 多层衬底、高Tc超导薄膜热敏红外探测器的热导研究. 物理学报, 1992, 41(10): 1679-1985. doi: 10.7498/aps.41.1679
    [3] 卢启海, 唐晓莉, 宋玉哲, 左显维, 韩根亮, 闫鹏勋, 刘维民. 氮化铁薄膜晶相合成热分析及其磁性. 物理学报, 2019, 68(11): 118101. doi: 10.7498/aps.68.20182195
    [4] 甘再国, 范红梅, 苏朋源, 马 龙, 周小红, 李君清, 黄明辉. 超重核合成时的驱动势与热熔合反应截面. 物理学报, 2008, 57(3): 1569-1575. doi: 10.7498/aps.57.1569
    [5] 贺德衍. 多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制. 物理学报, 2001, 50(4): 779-783. doi: 10.7498/aps.50.779
    [6] 王印月, 张仿清, 陈光华. 反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究. 物理学报, 1990, 39(10): 1661-1664. doi: 10.7498/aps.39.1661
    [7] 朱美芳, 刘丰珍, 刘金龙, 韩一琴, 汪六九. 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性. 物理学报, 2003, 52(11): 2934-2938. doi: 10.7498/aps.52.2934
    [8] 罗宇峰, 钟 澄, 张 莉, 严学俭, 李 劲, 蒋益明. 方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律. 物理学报, 2007, 56(11): 6722-6726. doi: 10.7498/aps.56.6722
    [9] 谢二庆, 王文武, 姜宁, 贺德衍. 锰硅化物的固相反应生长研究. 物理学报, 2002, 51(4): 873-876. doi: 10.7498/aps.51.873
    [10] 刘福绥, 曹忠胜, 赵忠贤. 金属玻璃低温电阻的准粒子无序构形激发模型. 物理学报, 1985, 34(5): 694-699. doi: 10.7498/aps.34.694
    [11] 陈金昌, 詹文山, 沈保根, 赵见高. Fe基非晶态合金的低温电阻研究. 物理学报, 1986, 35(5): 583-589. doi: 10.7498/aps.35.583
    [12] 赖云锋. 合成参数对气-液-固法低温生长MgO纳米线的影响. 物理学报, 2010, 59(12): 8814-8819. doi: 10.7498/aps.59.8814
    [13] 王天民, 徐刚毅, 何宇亮, 马智训, 郑国珍. 纳米硅薄膜的低温电输运机制. 物理学报, 2000, 49(9): 1798-1803. doi: 10.7498/aps.49.1798
    [14] 理论物理专业1972级教育革命小分队, (试验厂)三车间科研组. 铁镍钴矩磁合金的铁心损耗. 物理学报, 1976, 25(2): 115-121. doi: 10.7498/aps.25.115
    [15] 李华, 龚伟. 铁、钴、镍金属超微粒的制备与磁性. 物理学报, 1991, 40(8): 1356-1363. doi: 10.7498/aps.40.1356
    [16] 竺 云, 蔡建旺. [(Fe/Pt/Fe)/Ag]n多层膜低温合成分离的L10相FePt纳米颗粒. 物理学报, 2005, 54(1): 393-396. doi: 10.7498/aps.54.393
    [17] 雒建林, 白海洋, 陈兆甲, 车广灿, 任治安, 赵忠贤, 金铎, 林德华, 张杰. 常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究. 物理学报, 2002, 51(2): 342-346. doi: 10.7498/aps.51.342
    [18] 雷啸霖. A-15化合物低温电阻率反常行为的探讨. 物理学报, 1981, 30(5): 686-689. doi: 10.7498/aps.30.686
    [19] 陈金昌, 乐观, 詹文山, 沈保根, 赵见高. 非晶态(Fe1-xWx)84.5B15.5合金的低温电阻率反常. 物理学报, 1986, 35(1): 25-32. doi: 10.7498/aps.35.25
    [20] 徐明, 赵忠贤, 曹忠胜. 金属玻璃(Cu1-xNix)33Zr67合金的低温电阻率. 物理学报, 1988, 37(7): 1167-1171. doi: 10.7498/aps.37.1167
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  817
  • PDF下载量:  606
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-08
  • 修回日期:  2013-06-20
  • 刊出日期:  2013-10-05

醇热反应低温合成锰钴镍热敏薄膜

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
    基金项目: 

    新疆自然科学基金青年基金(批准号:2011211B49)

    核废物与环境安全国防重点学科实验室开发基金(批准号:12zxnp05)

    中国科学院"百人计划"项目(批准号:1029271301)

    中国科学院"西部之光"一般项目(批准号:Y22S601301,Y12S311301)

    西部博士项目(批准号:XBBS201025)

    国家自然科学基金(批准号:21103225)和中国科学院西部之光基金(批准号:XBBS201111)资助的课题.

摘要: 锰钴镍复合氧化物是一种具有半导体性质的热敏材料. 本文采用金属有机沉积技术于室温条件下、在Si衬底上沉积一定 厚度的Mn1.74Co0.72Ni0.54O4金属 有机化合物薄膜, 并通过醇热反应进行低温结晶化合成, 可得到Mn1.74Co0.72Ni0.54O4结晶薄膜. 通过X 射线衍射、场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 以及阻温特性等测试方法表征, 讨论了醇热反应对锰钴镍热敏薄膜的物相结构、微观形貌以及电学性能的影响. X射线衍射图显示薄膜已出现尖晶石结构的特征峰. 电镜照片说明结晶薄膜的表面较为平整、孔隙率低. 阻温特性关系表明薄膜具有明显的负温度系数效应, 室温(≈27°) 电阻率约为303.13 Ω·cm.

English Abstract

参考文献 (23)

目录

    /

    返回文章
    返回