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多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

潘必才 夏上达

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

潘必才, 夏上达
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-03-28
  • 刊出日期:  1995-05-20

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

  • 1. 中国科学技术大学物理系,合肥230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。

English Abstract

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