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射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究

李天微 刘丰珍 朱美芳

射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究

李天微, 刘丰珍, 朱美芳
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  • 采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD (rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HWCVD光发射谱的影响.结果表明,在射频功率2时,rf-HWCVD发射光谱反映了HWCVD高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号: 2006CB202601), 中国科学院知识创新工程重要方向项目资助的课题.
    [1]

    Wei J, Chang J M, Tzeng Y 1992 Thin Solid Films 212 91

    [2]

    Matsumura H 2001 Thin Solid Films 47 395

    [3]

    Zhu M, Guo X, Chen G, Han H, He M, Sun K 2000 Thin Solid Films 360 205

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    Liu F Z, Ward S, Gedvilas L, Keyes B, Wang Q, Sanchez E, Wang S 2004 J. Appl. Phys. 96 2973

    [5]

    Zhou B Q 2005 Ph. D. Dissertation (Beijing: Graduate University of Chinese Academy of Sciences)(in Chinese) [周秉卿 2005 博士学位论文 (北京: 中国科学院研究生院)]

    [6]

    Wang L J 2003 MS Thesis (Beijing: Graduate University of Chinese Academy of Sciences)(in Chinese) [汪六九 2003 硕士学位论文 (北京: 中国科学院研究生院)]

    [7]

    Rath J K, Verkerk A D, Liu Y, Brinza M, Goedheer W J, Schropp R E I 2009 Materials Science and Engineering B 159 38

    [8]

    Wu Z M, Lei Q S, Geng X H, Zhao Y, Sun J, Xi J P 2006 Chin. Phys. 15

    [9]

    Yang H D, Wu C Y, Li H B, Mai Y H, Zhu F, Zhou Z H, Zhao Y, Geng X H, Xiong S Z 2003 Acta Phys. Sin. 52 2324 (in Chinese) [杨恢东、 吴春亚、 李洪波、 麦耀华、 朱 峰、 周祯华、 赵 颖、 耿新华、 熊绍珍 2003 物理学报 52 2324]

    [10]

    Duan H L, Zaharias G A, Bent Stacey F 2002 Materials Research Society 715 A15.5.1

    [11]

    Nozaki Y, Kitazoe M, Horii K, Umemoto H, Masuda A,

    [12]

    Fantz U 1998 Plasma Phys. Control. Fusion 40 1035

    [13]

    Matsuda A 2004 Jpn. J. Appl. Phys. 43 7909

    [14]

    Perrin J, Aarts J F M 1983 Chem. Phys. 80 351

    [15]

    Kampas F J, Griffith R W 1981 J. Appl. Phys. 52 1285

    [16]

    Gicquel A, Chenevier M, Hassouni K, Tserepi A, Dubus M 1998 J. Appl. Phys. 83 7504

    [17]

    Fukuda Y, Sakuma Y, Fukai C, Fujimura Y, Azuma K, Shirai H 2001 Thin Solid Films 386 256

    [18]

    Takai M, Nishimoto T, Kondo M, Matsuda A 2001 Thin Solid Films 390 83

    [19]

    Matsuda A 1997 Plasma Phys. Control. Fusion 39 A431

    [20]

    Chantana J, Higuchi T, Nagai T, Sasaki S, Sobajima Y, Toyama T, Sada C, Matsuda A, Okamoto H 2010 Phys. Status Solidi A 207 587

    [21]

    Zhang X D, Zhao Y, Zhu F, Wei C C, Wu C Y, Gao Y T, Hou G F, Sun J, Geng X H, Xiong S Z 2005 Acta Phys. Sin. 54 446 (in Chinese) [张晓丹、 赵 颖、 朱 峰、 魏长春、 吴春亚、 高艳涛、 侯国付、 孙 建、 耿新华、 熊绍珍 2005 物理学报 54 446]

  • [1]

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    Matsumura H 2001 Thin Solid Films 47 395

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    Zhou B Q 2005 Ph. D. Dissertation (Beijing: Graduate University of Chinese Academy of Sciences)(in Chinese) [周秉卿 2005 博士学位论文 (北京: 中国科学院研究生院)]

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    Nozaki Y, Kitazoe M, Horii K, Umemoto H, Masuda A,

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    [17]

    Fukuda Y, Sakuma Y, Fukai C, Fujimura Y, Azuma K, Shirai H 2001 Thin Solid Films 386 256

    [18]

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    Matsuda A 1997 Plasma Phys. Control. Fusion 39 A431

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    Chantana J, Higuchi T, Nagai T, Sasaki S, Sobajima Y, Toyama T, Sada C, Matsuda A, Okamoto H 2010 Phys. Status Solidi A 207 587

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    Zhang X D, Zhao Y, Zhu F, Wei C C, Wu C Y, Gao Y T, Hou G F, Sun J, Geng X H, Xiong S Z 2005 Acta Phys. Sin. 54 446 (in Chinese) [张晓丹、 赵 颖、 朱 峰、 魏长春、 吴春亚、 高艳涛、 侯国付、 孙 建、 耿新华、 熊绍珍 2005 物理学报 54 446]

  • [1] 郜小勇, 李 瑞, 陈永生, 卢景霄, 刘 萍, 冯团辉, 王红娟, 杨仕娥. 微晶硅薄膜的结构及光学性质的研究. 物理学报, 2006, 55(1): 98-101. doi: 10.7498/aps.55.98
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    [14] 安龙, 杨富华, 张世斌, 廖显伯, 孔光临, 王永谦, 徐艳月, 陈长勇, 刁宏伟. 非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究. 物理学报, 2002, 51(8): 1811-1815. doi: 10.7498/aps.51.1811
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-12
  • 修回日期:  2010-04-20
  • 刊出日期:  2011-01-15

射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究

  • 1. 中国科学院研究生院材料学院,北京 100049
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划 (批准号: 2006CB202601), 中国科学院知识创新工程重要方向项目资助的课题.

摘要: 采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD (rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HWCVD光发射谱的影响.结果表明,在射频功率2时,rf-HWCVD发射光谱反映了HWCVD高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有

English Abstract

参考文献 (21)

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