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PECVD硼掺杂微晶硅薄膜的压阻特性

郭述文 谭淞生 王渭源

PECVD硼掺杂微晶硅薄膜的压阻特性

郭述文, 谭淞生, 王渭源
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-01-12
  • 刊出日期:  2005-07-06

PECVD硼掺杂微晶硅薄膜的压阻特性

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 研究了在硅片、柯伐合金和石英片等不同衬底材料上PECVD生长的微晶硅薄膜的压阻特性。测得以硅片和柯伐合金片作衬底样品的最大应变灵敏度因子(以下简称GF)分别为25和20,经激光退火后可达30。利用价带顶轻、重空穴带在应力作用下分裂模型和热电子发射理论推导了计算p型微晶、多晶硅薄膜GF的公式,可表示为GF对掺杂浓度、晶粒尺寸、晶界陷阱态密度以及薄膜织构的依赖关系,理论计算与实验结果较为符台。本文对微晶、多晶硅薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。

English Abstract

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