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甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

郭学军 卢景霄 陈永生 张庆丰 文书堂 郑 文 申陈海 陈庆东

甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

郭学军, 卢景霄, 陈永生, 张庆丰, 文书堂, 郑 文, 申陈海, 陈庆东
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-22
  • 修回日期:  2008-01-22
  • 刊出日期:  2008-09-20

甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

  • 1. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.

摘要: 采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图. 以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.

English Abstract

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