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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

李国华 丁 琨 谷锦华 周玉琴 朱美芳 周炳卿 刘丰珍 刘金龙 张群芳

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

李国华, 丁 琨, 谷锦华, 周玉琴, 朱美芳, 周炳卿, 刘丰珍, 刘金龙, 张群芳
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-02
  • 修回日期:  2004-12-02
  • 刊出日期:  2005-04-19

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院研究生院物理系,北京 100049
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)和中国科学院研究生院院长基金(批准号:yzjj200302_y1026)资助的课题.

摘要: 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系 统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在 玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散 生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的 依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测 量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直 接影响反应

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