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激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响

高艳涛 张晓丹 赵 颖 孙 建 朱 峰 魏长春

激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响

高艳涛, 张晓丹, 赵 颖, 孙 建, 朱 峰, 魏长春
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  • 采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%, 随激发频率变化(40—70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、 结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后 提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射 峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.
    • 基金项目: 国家“973”重大基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202, G2000028203) ,国家自然 科学基金(批准号:60506003),中国-希腊政府间合作项目(批准号:05YEGHHZ01400)和天津 市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-20
  • 修回日期:  2005-08-02
  • 刊出日期:  2006-03-20

激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
    基金项目: 

    国家“973”重大基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202, G2000028203) ,国家自然 科学基金(批准号:60506003),中国-希腊政府间合作项目(批准号:05YEGHHZ01400)和天津 市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.

摘要: 采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%, 随激发频率变化(40—70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、 结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后 提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射 峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.

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