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使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

黄迪 徐征 赵谡玲

使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

黄迪, 徐征, 赵谡玲
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  • 采用poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7)作为有机发光二极管器件的阳极修饰层,制备了结构为indium tin oxide(ITO)/PTB7(不同浓度)/N,N’-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB,40 nm)/8-hydroxyquinoline(Alq3,60 nm)/LiF(1 nm)/Al的系列器件,同时研究了不同浓度的PTB7对器件性能的影响. PTB7的最佳浓度为0.25 mg/mL,器件性能得到明显的改善,起亮电压为4.3 V. 当驱动电压为14.6 V时,最大亮度为45800 cd/m2,最大电流效率为9.1 cd/A. 与没有PTB7修饰的器件相比,其起亮电压降低了1.9 V,最高亮度提升了78.5%. 器件性能提高归因于PTB7的插入使得空穴注入和传输能力大大改善.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327704)、国家自然科学基金(批准号:51272022)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0220)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2012JBZ001)资助的课题.
    [1]

    Liu B Q, Lan L F, Zou J H, Peng J B 2013 Acta Phys. Sin. 62 087302 (in Chinese) [刘佰全, 兰林锋, 邹建华, 彭俊彪 2013 物理学报 62 087302]

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    Luo J X, Xiao L X, Chen Z J, Gong Q H 2008 Appl. Phys. Lett. 93 133301

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    Hung L S, Tang C W, Mason M G 1997 Appl. Phys. Lett. 70 152

    [4]

    Li F, Tang H, Anderegg J, Shinar J 1997 Appl. Phys. Lett. 70 1233

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    Kim Y E, Park H, Kim J J 1996 Appl. Phys. Lett. 69 599

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    Li J, Liu J C, Gao C J 2011 Acta Phys. Sin. 60 117106 (in Chinese) [李蛟, 刘俊成, 高从堦 2011 物理学报 60 117106]

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    Liang Y, Xu Z, Xia J, Tsai S T, Wu Y, Li G, Ray C, Yu L 2010 Adv. Mater. 22 E135

    [8]

    Liu B Q, Tao H, Su Y J, Gao D Y, Lan L F, Zou J H, Peng J B 2013 Chin. Phys. B 22 077303

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    Romero D, Schaer M, Zuppiroli L, Cesar B, Francois B 1995 Appl. Phys. Lett. 67 1659

    [10]

    Roigé A, Campoy Q M, Ossó J, Alonso M, Vega L, Garriga M 2012 Synth. Met. 161 2570

    [11]

    Kim S H, Jang J, Lee J Y 2006 Appl. Phys. Lett. 89 253501

    [12]

    Feng X, Huang C, Liu V, Khangura R, Lu Z 2005 Appl. Phys. Lett. 86 143511

    [13]

    Lee J Y, Kwon J H 2006 Appl. Phys. Lett. 88 183502

    [14]

    Lee J Y 2006 Appl. Phys. Lett. 88 07351

    [15]

    Valadares M, Silvestre I, Calado H D R, Neves B R A, Guimarães P S S, Cury L A 2009 Mater. Sci. Eng. C 29 57

    [16]

    Li G L, He L J, Li J, Li X S, Liang S, Gao M M, Yuan H W 2013 Acta Phys. Sin. 62 197202 (in Chinese) [李国龙, 何力军, 李进, 李学生, 梁森, 高忙忙, 袁海雯 2013 物理学报 62 197202]

    [17]

    Liu D A, Fina M, Chen Z Y, Chen X B, Liu G, Johnson S, Mao S S 2007 Appl. Phys. Lett. 91 093514

    [18]

    Day S R, Hatton R A, Chesters M A, Willis M R 2002 Thin Solid Films 410 159

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    Zhang F J, Vollmer A, Zhang J, Xu Z, Rabe J P, Koch N 2007 Org. Electron. 8 606

    [20]

    Song D D 2011 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing Jiaotong University) (in Chinese) [宋丹丹 2011 博士学位论文(北京: 北京交通大学)]

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    Song D D 2011 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing Jiaotong University) (in Chinese) [宋丹丹 2011 博士学位论文(北京: 北京交通大学)]

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-03
  • 修回日期:  2013-10-11
  • 刊出日期:  2014-01-20

使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

  • 1. 北京交通大学, 发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044;
  • 2. 北京交通大学光电子技术研究所, 北京 100044
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327704)、国家自然科学基金(批准号:51272022)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0220)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2012JBZ001)资助的课题.

摘要: 采用poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7)作为有机发光二极管器件的阳极修饰层,制备了结构为indium tin oxide(ITO)/PTB7(不同浓度)/N,N’-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB,40 nm)/8-hydroxyquinoline(Alq3,60 nm)/LiF(1 nm)/Al的系列器件,同时研究了不同浓度的PTB7对器件性能的影响. PTB7的最佳浓度为0.25 mg/mL,器件性能得到明显的改善,起亮电压为4.3 V. 当驱动电压为14.6 V时,最大亮度为45800 cd/m2,最大电流效率为9.1 cd/A. 与没有PTB7修饰的器件相比,其起亮电压降低了1.9 V,最高亮度提升了78.5%. 器件性能提高归因于PTB7的插入使得空穴注入和传输能力大大改善.

English Abstract

参考文献 (20)

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