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Ga梯度分布对Cu(In,Ga)Se2薄膜及太阳电池的影响

刘芳芳 孙云 何青

Ga梯度分布对Cu(In,Ga)Se2薄膜及太阳电池的影响

刘芳芳, 孙云, 何青
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-25
  • 修回日期:  2013-10-30
  • 刊出日期:  2014-02-05

Ga梯度分布对Cu(In,Ga)Se2薄膜及太阳电池的影响

  • 1. 南开大学, 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61144002)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:BE033511)资助的课题.

摘要: 传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu,In,Ga,Se 4 种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布. 本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池. 利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIGS薄膜表面及背面结构性质及电性质的影响,计算分析了表面导带失调值及背面电场对电池性能的影响,从而获得了合适的Ga梯度分布,提高了电池光谱相应,获得了较好的电池性能参数.

English Abstract

参考文献 (14)

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