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基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

肖迪 王东明 李珣 李强 沈凯 王德钊 吴玲玲 王德亮

基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

肖迪, 王东明, 李珣, 李强, 沈凯, 王德钊, 吴玲玲, 王德亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-12-02
  • 修回日期:  2017-02-09
  • 刊出日期:  2017-06-05

基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

  • 1. 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室(筹), 合肥 230026
  • 通信作者: 王德亮, eedewang@ustc.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61474103,51272247)资助的课题.

摘要: 采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.

English Abstract

参考文献 (23)

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