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Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响

魏玮 刘明 曲盛薇 张庆瑜

Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响

魏玮, 刘明, 曲盛薇, 张庆瑜
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-13
  • 修回日期:  2009-01-13
  • 刊出日期:  2009-08-20

Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 10605009, 10774018)和国家重点基础研究发展计划 (批准号: 2007CB616902)资助的课题.

摘要: 采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.

English Abstract

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