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退火对Mn和N共掺杂的Zn0.88Mn0.12O:N薄膜特性的影响

邱东江 王 俊 丁扣宝 施红军 郏 寅

退火对Mn和N共掺杂的Zn0.88Mn0.12O:N薄膜特性的影响

邱东江, 王 俊, 丁扣宝, 施红军, 郏 寅
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-31
  • 修回日期:  2008-06-24
  • 刊出日期:  2008-04-05

退火对Mn和N共掺杂的Zn0.88Mn0.12O:N薄膜特性的影响

  • 1. (1)浙江大学物理系,杭州 310027; (2)浙江大学信息与电子工程学系,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50472058)资助的课题.

摘要: 以NH3为掺N源,采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜,生长温度为300℃,然后在O2气氛中400℃退火0.5 h.X射线衍射测量表明,Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相

English Abstract

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