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赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

杨国文 J.WANG Y.WANG WEIKUN GE 卢励吾 张砚华 王占国

赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

杨国文, J.WANG, Y.WANG, WEIKUN GE, 卢励吾, 张砚华, 王占国
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-08-20
  • 修回日期:  1998-03-06
  • 刊出日期:  1998-08-20

赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

  • 1. (1)国家光电子工程中心,中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)香港科技大学物理系,香港九龙; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放研究实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69776014)、香港科技大学和中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放研究实验室资助的课题.

摘要: 分别采用二种不同方法测量分子束外延(MBE)生长GaAs/In0.2Ga0.8As单量子阱结构的导带不连续量ΔEc:1) 考虑样品界面电荷修正的电容-电压(C-V)分布;2) 量子阱载流子热发射产生的电容瞬态(DLTS).C-V测得的ΔEc=0.227eV,大约相当于89% ΔEg.DLTS测得的ΔEc=0.229eV,大约相当于89.9% ΔEg.结果

English Abstract

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