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直接键合的三结太阳能电池研究

彭红玲 张玮 孙利杰 马绍栋 石岩 渠红伟 张冶金 郑婉华

直接键合的三结太阳能电池研究

彭红玲, 张玮, 孙利杰, 马绍栋, 石岩, 渠红伟, 张冶金, 郑婉华
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  • 本文研制了直接键合的三结GaInP/GaAs/InGaAsP太阳电池. 直接键合技术可以减少晶格不匹配的材料在外延生长过程中产生的线位错和面缺陷,将缺陷限制在界面几十纳米的薄层而不向内扩散,是未来实现高效多结电池的发展趋势之一. 此类电池国内鲜有报道. 本文键合三结电池的键合界面采用p+GaAs/n+InP结构,得到电池开路电压3.0 V,在电池结构没有优化的情况下获得效率24%,表面未做减反膜. 开路电压表明三结电池实现了串联,为单片集成的高效多结电池提供了新的途径. 对实验结果进行了分析并给出了改进措施.
    • 基金项目: 中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:09JA041001)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-26
  • 修回日期:  2014-05-01
  • 刊出日期:  2014-09-05

直接键合的三结太阳能电池研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083;
  • 2. 中国航天科技集团公司上海空间电源研究所, 上海 200245
    基金项目: 

    中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:09JA041001)资助的课题.

摘要: 本文研制了直接键合的三结GaInP/GaAs/InGaAsP太阳电池. 直接键合技术可以减少晶格不匹配的材料在外延生长过程中产生的线位错和面缺陷,将缺陷限制在界面几十纳米的薄层而不向内扩散,是未来实现高效多结电池的发展趋势之一. 此类电池国内鲜有报道. 本文键合三结电池的键合界面采用p+GaAs/n+InP结构,得到电池开路电压3.0 V,在电池结构没有优化的情况下获得效率24%,表面未做减反膜. 开路电压表明三结电池实现了串联,为单片集成的高效多结电池提供了新的途径. 对实验结果进行了分析并给出了改进措施.

English Abstract

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