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ZnTe/GaSb结构的X射线三轴晶散射和晶体截断杆研究

李超荣

ZnTe/GaSb结构的X射线三轴晶散射和晶体截断杆研究

李超荣
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-01-17
  • 修回日期:  1997-02-18
  • 刊出日期:  1997-10-20

ZnTe/GaSb结构的X射线三轴晶散射和晶体截断杆研究

  • 1. 中国科学院物理研究所中国科学院凝聚态物理中心
    基金项目: 

    国家自然科学基金,王宽诚教育基金,英国E.P.S.R.C.基金

摘要: 用X射线三轴晶散射和晶体截断杆扫描研究了不同工艺条件下分子束外延生长的ZnTe/GaSb结构.X射线晶体截断扫描显示,从衬底表面清洁温度到生长温度退火过程中采用Zn气氛的样品具有清晰的干涉条纹,而在Te气氛下退火则晶体截断扫描没有干涉条纹.在倒易点004,115附近X射线散射的二维强度分布图显示,两种条件下生长样品的晶格失配应力都没有弛豫.二维等强度分布图和沿[110]方向的扫描,都显示在Te气氛下生长的膜具有较强的漫散射,并且分布较宽.这种漫散射来源于界面相Ga2Te3<

English Abstract

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