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GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

陈光华 姚江宏 邹云娟 张兴旺

GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

陈光华, 姚江宏, 邹云娟, 张兴旺
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-30
  • 刊出日期:  1997-03-20

GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

  • 1. (1)北京工业大学应用物理系; (2)兰州大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在GaAs(100)衬底上实现了完全(111)取向的C60单晶膜的生长.用扫描电子显微镜和X射线衍射技术对C60单晶膜的形貌和结构进行了分析.结果表明:能实现C60取向生长的衬底温度范围很窄,温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序.对实验结果做出了合理的解释,并讨论了C60单晶膜的生长机制

English Abstract

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