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液晶SmC*相自发极化的统计理论

钱祥忠

液晶SmC*相自发极化的统计理论

钱祥忠
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-01-14
  • 刊出日期:  1997-09-20

液晶SmC*相自发极化的统计理论

  • 1. 淮南矿业学院基础部

摘要: 采用格胞模型,定义在格胞中心上的极化序参量.选用双轴性并具有横向电矩的分子作用势,求得系统的自由能,得到自发极化强度的大小和螺旋变化螺距的表达式.计算了DOBAMBC和3M2CPOOB等4种典型SmC*相液晶的自发极化强度大小和螺距随温度的变化及其受分子横向电矩的影响,结果与实验相符.表明SmC*相的自发极化强度主要产生于分子的双轴性和横向电矩.

English Abstract

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