搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ga含量对Mn2-xNiGa1+x结构和磁性的影响

刘红艳 柳祝红 李歌天 马星桥

Ga含量对Mn2-xNiGa1+x结构和磁性的影响

刘红艳, 柳祝红, 李歌天, 马星桥
PDF
导出引用
  • 系统研究了铁磁性形状记忆合金Mn2 -xNiGa1+x的结构、磁性和有序化转变. 研究表明: 随着Ga含量的增加, Mn2 -xNiGa1+x的母相结构由Hg2CuTi 型逐渐转变到Cu2MnAl型Heusler结构. 母相的晶格常数先增加后降低, 当x=0.3时达到最大值. 0.3 x 0.8时, 材料除呈现Heusler结构的主相之外, 还出现了Ni2In型六角相. 过渡金属中3d电子之间交换相互作用的减弱, 导致Mn2-xNiGa1+x主相的居里温度由Mn2NiGa的590 K逐渐降低至Ga2MnNi的220 K左右; 当x=0.60.8时, Ni2In型六角相的居里温度与主相的居里温度出现分离. Ga对Mn的替代引起合金中原子间耦合作用的变化, 导致低温下Mn2 -xNiGa1+x的饱和磁化强度先增加后降低, 即x0.4时呈上升趋势, x0.4时急剧下降. 差热分析结果显示, 随着x从0增加到1, 样品熔化温度逐渐降低, B2相到Heusler相的转变温度先降低后增加.
      通信作者: 柳祝红, zhliu@ustb.edu.cn
    • 基金项目: 第四十四批教育部留学回国人员启动基金和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: FRF-BR-14-025A)资助的课题.
    [1]

    Ullakko K, Huang J, Kantner C, O'handley R, Kokorin V 1996 Appl. Phys. Lett. 69 1966

    [2]

    Vasil'ev A, Bozhko A, Khovailo V, Dikshtein I, Shavrov V, Buchelnikov V, Matsumoto M, Suzuki S, Takagi T, Tani J 1999 Phys. Rev. B 59 1113

    [3]

    Wu G, Yu C, Meng L, Chen J, Yang F, Qi S, Zhan W, Wang Z, Zheng Y, Zhao L 1999 Appl. Phys. Lett. 75 2990

    [4]

    Murray S J, Marioni M, Allen S, O'handley R, Lograsso T 2000 Appl. Phys. Lett. 77 886

    [5]

    Liu Z, Zhang M, Wang W, Wang W, Chen J, Wu G, Meng F, Liu H, Liu B, Qu J, Li Y 2002 J. Appl. Phys. 92 5006

    [6]

    Enkovaara J, Heczko O, Ayuela A, Nieminen R 2003 Phys. Rev. B 67 212405

    [7]

    Khovailo V V, Oikawa K, Abe T, Takagi T 2003 J. Appl. Phys. 93 8483

    [8]

    Jin X, Marioni M, Bono D, Allen S, O'Handley R, Hsu T 2002 J. Appl. Phys. 91 8222

    [9]

    Liu G, Chen J, Liu Z, Dai X, Wu G, Zhang B, Zhang X 2005 Appl. Phys. Lett. 87 262504

    [10]

    Barman S, Chakrabarti A 2008 Phys. Rev. B 77 176401

    [11]

    Liu G, Dai X, Yu S, Zhu Z, Chen J, Wu G, Zhu H, Xiao J Q 2006 Phys. Rev. B 74 054435

    [12]

    Barman S, Banik S, Shukla A, Kamal C, Chakrabarti A 2007 Europhys. Lett. 80 57002

    [13]

    Singh S, Maniraj M, D'Souza S, Ranjan R, Barman S 2010 Appl. Phys. Lett. 96 081904

    [14]

    Ma L, Zhang H, Yu S, Zhu Z, Chen J, Wu G, Liu H, Qu J, Li Y 2008 Appl. Phys. Lett. 92 032509

    [15]

    Liu G D, Wang X Q, Dai X F, Liu Z H, Yu S Y, Chen J L, Wu G H 2006 Acta Phys. Sin. 55 4883 (in Chinese) [刘国栋, 王新强, 代学芳, 柳祝红, 于淑云, 陈京兰, 吴光恒 2006 物理学报 55 4883]

    [16]

    Cai W, Zhang J, Gao Z Y, Sui J H, Dong G F 2011 Acta Mater. 59 2358

    [17]

    Wang D H, Han Z D, Xuan H C, Ma S C, Chen S Y, Zhang C L, Du Y W 2013 Chin. Phys. B 22 077506

    [18]

    Tan C L, Zhang K, Tian X H, Cai W 2015 Chin. Phys. B 24 057502

    [19]

    Dong G F, Gao Z Y 2016 J. Magn. Magn. Mater. 399 185

    [20]

    Barman S, Chakrabarti A, Singh S, Banik S, Bhardwaj S, Paulose P, Chalke B, Panda A, Mitra A, Awasthi A 2008 Phys. Rev. B 78 134406

    [21]

    Singh S, Bhardwaj S, Panda A, Ahire V, Mitra A, Awasthi A, Barman S 2010 Mater. Sci. Forum 635 43

    [22]

    Singh S, Rawat R, Barman S 2011 Appl. Phys. Lett. 99 021902

    [23]

    Liu J, Scheerbaum N, Hinz D, Gutfleisch O 2008 Acta Mater. 56 3177

    [24]

    Song R N, Zhu W, Liu N K, Li G J, Chen J L, Wang W H, Li X, Wu G H 2012 Acta Phys. Sin. 61 027501 (in Chinese) [宋瑞宁, 朱伟, 刘恩克, 李贵江, 陈京兰, 王文洪, 李祥, 吴光恒 2012 物理学报 61 027501]

    [25]

    Li G T, Liu Z H, Ma X Q, Yu S Y, Liu Y 2013 Mater. Lett. 107 239

    [26]

    Liu E K, Wang W H, Feng L, Zhu W, Li G J, Chen J L, Zhang H W, Wu G H, Jiang C B, Xu H B, de Boer F 2012 Nat. Commun. 3 873

    [27]

    Wei Z Y, Liu E K, Li Y, Xu G Z, Zhang X M, Liu G D, Xi X K, Zhang H W, Wang W H, Wu G H, Zhang X X 2015 Adv. Electron. Mater. 1 1500076

    [28]

    Li G, Liu E, Zhang H, Qian J, Zhang H, Chen J, Wang W, Wu G 2012 Appl. Phys. Lett. 101 102402

    [29]

    Webster P J 1969 Contemp. Phys. 10 559

    [30]

    Feng Y, Rhee J Y, Wiener T A, Lynch D W, Hubbard B E, Sievers A J, Schlagel D L, Lograsso T A, Miller L L 2001 Phys. Rev. B 63 165109

    [31]

    Zhang Y, Li G, Liu E, Chen J, Wang W, Wu G 2013 J. Appl. Phys. 113 123901

    [32]

    Jaggi N K, Rao K R P M, Grover A K, Gupta L C, Vijayaraghavan R, Le Dang K 1978 Hyperfine Interact. 4 402

    [33]

    Barth J, Balke B, Fecher G H, Stryhanyuk H, Gloskovskii A, Naghavi S, Felser C 2009 J. Phys. D: Appl. Phys. 42 185401

    [34]

    Ma L, Wang W, Zhen C, Hou D, Tang X, Liu E, Wu G 2011 Phys. Rev. B 84 224404

    [35]

    Stearns M B 1979 J. Appl. Phys. 50 2060

    [36]

    Liu Z H, Yi B, Li G T, Ma X Q 2012 Acta Phys. Sin. 61 108104 (in Chinese) [柳祝红, 伊比, 李歌天, 马星桥 2012 物理学报 61 108104]

    [37]

    Varaprasad B S D C S, Rajanikanth A, Takahashi Y K, Hono K 2009 Acta Mater. 57 2702

  • [1]

    Ullakko K, Huang J, Kantner C, O'handley R, Kokorin V 1996 Appl. Phys. Lett. 69 1966

    [2]

    Vasil'ev A, Bozhko A, Khovailo V, Dikshtein I, Shavrov V, Buchelnikov V, Matsumoto M, Suzuki S, Takagi T, Tani J 1999 Phys. Rev. B 59 1113

    [3]

    Wu G, Yu C, Meng L, Chen J, Yang F, Qi S, Zhan W, Wang Z, Zheng Y, Zhao L 1999 Appl. Phys. Lett. 75 2990

    [4]

    Murray S J, Marioni M, Allen S, O'handley R, Lograsso T 2000 Appl. Phys. Lett. 77 886

    [5]

    Liu Z, Zhang M, Wang W, Wang W, Chen J, Wu G, Meng F, Liu H, Liu B, Qu J, Li Y 2002 J. Appl. Phys. 92 5006

    [6]

    Enkovaara J, Heczko O, Ayuela A, Nieminen R 2003 Phys. Rev. B 67 212405

    [7]

    Khovailo V V, Oikawa K, Abe T, Takagi T 2003 J. Appl. Phys. 93 8483

    [8]

    Jin X, Marioni M, Bono D, Allen S, O'Handley R, Hsu T 2002 J. Appl. Phys. 91 8222

    [9]

    Liu G, Chen J, Liu Z, Dai X, Wu G, Zhang B, Zhang X 2005 Appl. Phys. Lett. 87 262504

    [10]

    Barman S, Chakrabarti A 2008 Phys. Rev. B 77 176401

    [11]

    Liu G, Dai X, Yu S, Zhu Z, Chen J, Wu G, Zhu H, Xiao J Q 2006 Phys. Rev. B 74 054435

    [12]

    Barman S, Banik S, Shukla A, Kamal C, Chakrabarti A 2007 Europhys. Lett. 80 57002

    [13]

    Singh S, Maniraj M, D'Souza S, Ranjan R, Barman S 2010 Appl. Phys. Lett. 96 081904

    [14]

    Ma L, Zhang H, Yu S, Zhu Z, Chen J, Wu G, Liu H, Qu J, Li Y 2008 Appl. Phys. Lett. 92 032509

    [15]

    Liu G D, Wang X Q, Dai X F, Liu Z H, Yu S Y, Chen J L, Wu G H 2006 Acta Phys. Sin. 55 4883 (in Chinese) [刘国栋, 王新强, 代学芳, 柳祝红, 于淑云, 陈京兰, 吴光恒 2006 物理学报 55 4883]

    [16]

    Cai W, Zhang J, Gao Z Y, Sui J H, Dong G F 2011 Acta Mater. 59 2358

    [17]

    Wang D H, Han Z D, Xuan H C, Ma S C, Chen S Y, Zhang C L, Du Y W 2013 Chin. Phys. B 22 077506

    [18]

    Tan C L, Zhang K, Tian X H, Cai W 2015 Chin. Phys. B 24 057502

    [19]

    Dong G F, Gao Z Y 2016 J. Magn. Magn. Mater. 399 185

    [20]

    Barman S, Chakrabarti A, Singh S, Banik S, Bhardwaj S, Paulose P, Chalke B, Panda A, Mitra A, Awasthi A 2008 Phys. Rev. B 78 134406

    [21]

    Singh S, Bhardwaj S, Panda A, Ahire V, Mitra A, Awasthi A, Barman S 2010 Mater. Sci. Forum 635 43

    [22]

    Singh S, Rawat R, Barman S 2011 Appl. Phys. Lett. 99 021902

    [23]

    Liu J, Scheerbaum N, Hinz D, Gutfleisch O 2008 Acta Mater. 56 3177

    [24]

    Song R N, Zhu W, Liu N K, Li G J, Chen J L, Wang W H, Li X, Wu G H 2012 Acta Phys. Sin. 61 027501 (in Chinese) [宋瑞宁, 朱伟, 刘恩克, 李贵江, 陈京兰, 王文洪, 李祥, 吴光恒 2012 物理学报 61 027501]

    [25]

    Li G T, Liu Z H, Ma X Q, Yu S Y, Liu Y 2013 Mater. Lett. 107 239

    [26]

    Liu E K, Wang W H, Feng L, Zhu W, Li G J, Chen J L, Zhang H W, Wu G H, Jiang C B, Xu H B, de Boer F 2012 Nat. Commun. 3 873

    [27]

    Wei Z Y, Liu E K, Li Y, Xu G Z, Zhang X M, Liu G D, Xi X K, Zhang H W, Wang W H, Wu G H, Zhang X X 2015 Adv. Electron. Mater. 1 1500076

    [28]

    Li G, Liu E, Zhang H, Qian J, Zhang H, Chen J, Wang W, Wu G 2012 Appl. Phys. Lett. 101 102402

    [29]

    Webster P J 1969 Contemp. Phys. 10 559

    [30]

    Feng Y, Rhee J Y, Wiener T A, Lynch D W, Hubbard B E, Sievers A J, Schlagel D L, Lograsso T A, Miller L L 2001 Phys. Rev. B 63 165109

    [31]

    Zhang Y, Li G, Liu E, Chen J, Wang W, Wu G 2013 J. Appl. Phys. 113 123901

    [32]

    Jaggi N K, Rao K R P M, Grover A K, Gupta L C, Vijayaraghavan R, Le Dang K 1978 Hyperfine Interact. 4 402

    [33]

    Barth J, Balke B, Fecher G H, Stryhanyuk H, Gloskovskii A, Naghavi S, Felser C 2009 J. Phys. D: Appl. Phys. 42 185401

    [34]

    Ma L, Wang W, Zhen C, Hou D, Tang X, Liu E, Wu G 2011 Phys. Rev. B 84 224404

    [35]

    Stearns M B 1979 J. Appl. Phys. 50 2060

    [36]

    Liu Z H, Yi B, Li G T, Ma X Q 2012 Acta Phys. Sin. 61 108104 (in Chinese) [柳祝红, 伊比, 李歌天, 马星桥 2012 物理学报 61 108104]

    [37]

    Varaprasad B S D C S, Rajanikanth A, Takahashi Y K, Hono K 2009 Acta Mater. 57 2702

  • [1] 李敏, 于世丹, 崔启良, 周强, 马丽, 朱志永, 陈京兰, 吴光恒. 铁磁形状记忆合金Mn2NiGa中应力诱发马氏体相的结构和磁性. 物理学报, 2009, 58(5): 3479-3484. doi: 10.7498/aps.58.3479
    [2] 宋瑞宁, 李祥, 朱伟, 刘恩克, 李贵江, 蔡金芳, 王文洪, 吴光恒. 低温时效处理对铁磁形状记忆合金Mn2NiGa的结构、相变和磁性能的影响. 物理学报, 2011, 60(7): 077501. doi: 10.7498/aps.60.077501
    [3] 宋瑞宁, 朱伟, 刘恩克, 李贵江, 陈京兰, 王文洪, 李祥, 吴光恒. 内应力对Mn2NiGa铁磁形状记忆合金的结构、相变和磁性能的影响. 物理学报, 2012, 61(2): 027501. doi: 10.7498/aps.61.027501
    [4] 刘宝玉, 刘国栋, 吴光恒, 杨伏明. (Nd1-xErx)2Co15.5V1.5的结构转变与磁性. 物理学报, 2004, 53(6): 1903-1908. doi: 10.7498/aps.53.1903
    [5] 代学芳, 孙晨光, 曲静萍, 李养贤, 朱伟, 陈京兰, 吴光恒. 铁磁形状记忆合金Co50Ni20Ga30-xSix的结构及物性研究. 物理学报, 2009, 58(12): 8602-8606. doi: 10.7498/aps.58.8602
    [6] 代学芳, 柳祝红, 于淑云, 陈京兰, 吴光恒, 王新强, 刘国栋. Fe和Co元素在铁磁性形状记忆合金Mn50Ni25-xFe(Co)xGa25中的作用. 物理学报, 2006, 55(9): 4883-4887. doi: 10.7498/aps.55.4883
    [7] 邵建立, 何安民, 段素青, 王裴, 秦承森. 单轴应变驱动铁bcc—hcp相转变的微观模拟. 物理学报, 2010, 59(7): 4888-4894. doi: 10.7498/aps.59.4888
    [8] 邵建立, 何安民, 秦承森, 王裴. 一维应变加载下单晶铁结构转变的微观研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5610-5617. doi: 10.7498/aps.58.5610
    [9] 文黎巍, 王玉梅, 裴慧霞, 丁俊. Sb系half-Heusler合金磁性及电子结构的第一性原理研究. 物理学报, 2011, 60(4): 047110. doi: 10.7498/aps.60.047110
    [10] 吕瑾, 秦健萍, 武海顺. ConAl (n= 18)合金团簇结构和磁性质研究. 物理学报, 2013, 62(5): 053101. doi: 10.7498/aps.62.053101
    [11] 罗礼进, 仲崇贵, 方靖淮, 赵永林, 周朋霞, 江学范. Heusler合金Mn2 NiAl的电子结构和磁性对四方畸变的响应及其压力响应. 物理学报, 2011, 60(12): 127502. doi: 10.7498/aps.60.127502
    [12] 姜恩海, 朱兴凤, 陈凌孚. Heusler合金Co2MnAl(100)表面电子结构、磁性和自旋极化的第一性原理研究. 物理学报, 2015, 64(14): 147301. doi: 10.7498/aps.64.147301
    [13] 杜音, 王文洪, 张小明, 刘恩克, 吴光恒. 铁基Heusler合金Fe2Co1-xCrxSi的结构、磁性和输运性质的研究. 物理学报, 2012, 61(14): 147304. doi: 10.7498/aps.61.147304
    [14] 赵晶晶, 舒迪, 祁欣, 刘恩克, 朱伟, 冯琳, 王文洪, 吴光恒. Co50Fe50-xSix合金的结构相变和磁性. 物理学报, 2011, 60(10): 107203. doi: 10.7498/aps.60.107203.1
    [15] 施一生. Fe1-xPdx合金电子结构和磁性的理论研究. 物理学报, 2003, 52(4): 993-998. doi: 10.7498/aps.52.993
    [16] 赵晶晶, 祁欣, 刘恩克, 朱伟, 钱金凤, 李贵江, 王文洪, 吴光恒. Co50Fe25-xMnxSi25系列合金的结构、磁性和半金属性研究. 物理学报, 2011, 60(4): 047108. doi: 10.7498/aps.60.047108
    [17] 代学芳, 柳祝红, 于淑云, 陈京兰, 吴光恒, 王新强, 刘国栋. Si掺杂的铁磁形状记忆合金Co50Ni21Ga29Six的物性研究. 物理学报, 2007, 56(3): 1686-1690. doi: 10.7498/aps.56.1686
    [18] 杨育奇, 高庆庆, 李冠男. 组合结构化合物Ho2Ni7-xFex (x=03.0)的晶体结构、结构转变和磁性. 物理学报, 2013, 62(1): 016103. doi: 10.7498/aps.62.016103
    [19] 李仁全, 潘春玲, 文玉华, 朱梓忠. Ag原子链的结构稳定性和磁性. 物理学报, 2009, 58(4): 2752-2756. doi: 10.7498/aps.58.2752
    [20] 张富春, 张威虎, 董军堂, 张志勇. Cr掺杂ZnO纳米线的电子结构和磁性. 物理学报, 2011, 60(12): 127503. doi: 10.7498/aps.60.127503
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  927
  • PDF下载量:  208
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-15
  • 修回日期:  2015-11-28
  • 刊出日期:  2016-02-05

Ga含量对Mn2-xNiGa1+x结构和磁性的影响

  • 1. 北京科技大学物理系, 北京 100083
  • 通信作者: 柳祝红, zhliu@ustb.edu.cn
    基金项目: 

    第四十四批教育部留学回国人员启动基金和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: FRF-BR-14-025A)资助的课题.

摘要: 系统研究了铁磁性形状记忆合金Mn2 -xNiGa1+x的结构、磁性和有序化转变. 研究表明: 随着Ga含量的增加, Mn2 -xNiGa1+x的母相结构由Hg2CuTi 型逐渐转变到Cu2MnAl型Heusler结构. 母相的晶格常数先增加后降低, 当x=0.3时达到最大值. 0.3 x 0.8时, 材料除呈现Heusler结构的主相之外, 还出现了Ni2In型六角相. 过渡金属中3d电子之间交换相互作用的减弱, 导致Mn2-xNiGa1+x主相的居里温度由Mn2NiGa的590 K逐渐降低至Ga2MnNi的220 K左右; 当x=0.60.8时, Ni2In型六角相的居里温度与主相的居里温度出现分离. Ga对Mn的替代引起合金中原子间耦合作用的变化, 导致低温下Mn2 -xNiGa1+x的饱和磁化强度先增加后降低, 即x0.4时呈上升趋势, x0.4时急剧下降. 差热分析结果显示, 随着x从0增加到1, 样品熔化温度逐渐降低, B2相到Heusler相的转变温度先降低后增加.

English Abstract

参考文献 (37)

目录

    /

    返回文章
    返回