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微流芯片中消逝波激励的荧光辐射特性研究

储玉飞 张远宪 刘春 普小云

微流芯片中消逝波激励的荧光辐射特性研究

储玉飞, 张远宪, 刘春, 普小云
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  • 将石英裸光纤植入聚二甲基硅氧烷基片的微流道中,采用沿光纤轴向光抽运、消逝场激励染料分子的方式,在基片微流道中获得均匀的荧光辐射.实验发现,荧光辐射的强度随光纤轴向距离的增加而衰减,光纤包层溶液折射率越大,荧光沿光纤轴向的衰减越突出;包层溶液中染料浓度越大,荧光沿光纤轴向的衰减也越突出;通过选择适当的包层溶液折射率以及染料浓度可以获得沿光纤轴向接近均匀的荧光辐射.用消逝波激励荧光的辐射理论计算了荧光光强沿光纤轴向的变化,计算结果与实验符合较好.在此基础上,设计并制作了一种具有三个通道的聚二甲基硅氧烷基片,通过在三个微流道中分别注入染料浓度均为0.1 mmol的罗丹明640、 罗丹明B 及罗丹明6 G的乙醇染料溶液,采用沿光纤轴向消逝波光激励方式,在一块聚二甲基硅氧烷基片上同时实现了三个不同波段的荧光辐射.
      通信作者: 普小云, xypu@163.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11404282,61465014)、中国科学院西部之光人才培养项目和云南大学中青年骨干教师培养项目资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-11-21
  • 修回日期:  2017-03-02
  • 刊出日期:  2017-05-05

微流芯片中消逝波激励的荧光辐射特性研究

  • 1. 云南大学物理系, 昆明 650091
  • 通信作者: 普小云, xypu@163.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11404282,61465014)、中国科学院西部之光人才培养项目和云南大学中青年骨干教师培养项目资助的课题.

摘要: 将石英裸光纤植入聚二甲基硅氧烷基片的微流道中,采用沿光纤轴向光抽运、消逝场激励染料分子的方式,在基片微流道中获得均匀的荧光辐射.实验发现,荧光辐射的强度随光纤轴向距离的增加而衰减,光纤包层溶液折射率越大,荧光沿光纤轴向的衰减越突出;包层溶液中染料浓度越大,荧光沿光纤轴向的衰减也越突出;通过选择适当的包层溶液折射率以及染料浓度可以获得沿光纤轴向接近均匀的荧光辐射.用消逝波激励荧光的辐射理论计算了荧光光强沿光纤轴向的变化,计算结果与实验符合较好.在此基础上,设计并制作了一种具有三个通道的聚二甲基硅氧烷基片,通过在三个微流道中分别注入染料浓度均为0.1 mmol的罗丹明640、 罗丹明B 及罗丹明6 G的乙醇染料溶液,采用沿光纤轴向消逝波光激励方式,在一块聚二甲基硅氧烷基片上同时实现了三个不同波段的荧光辐射.

English Abstract

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