| [1] |
罗文华, 蒙大桥, 李 赣, 陈虎翅. CO在Pu(100)表面吸附的研究. 物理学报,
2008, 57(1): 160-164.
doi: 10.7498/aps.57.160
|
| [2] |
祝传刚, 徐彭寿, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌. CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响. 物理学报,
2001, 50(11): 2212-2216.
doi: 10.7498/aps.50.2212
|
| [3] |
吴 镝, 刘国磊, 吴义政, 董国胜, 金晓峰, 沈孝良. Co100-xMnx合金在GaAs(001)表面的生长结构和磁性的实验研究. 物理学报,
1999, 48(12): 2320-2326.
doi: 10.7498/aps.48.2320
|
| [4] |
杨仕娥, 马丙现, 贾 瑜, 申三国, 范希庆. ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算. 物理学报,
1998, 47(10): 1704-1712.
doi: 10.7498/aps.47.1704
|
| [5] |
袁泽亮, 丁训民, 胡海天, 李哲深, 杨建树, 缪熙月, 陈溪滢, 曹先安, 侯晓远, 陆尔东, 徐世红, 徐彭寿, 张新夷. 中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究. 物理学报,
1998, 47(1): 68-74.
doi: 10.7498/aps.47.68
|
| [6] |
张发培, 徐彭寿, 徐发强, 陆尔东, 孙玉明, 张新夷, 朱警生, 梁任又. Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究. 物理学报,
1998, 47(4): 692-698.
doi: 10.7498/aps.47.692
|
| [7] |
陈溪滢, 丁训民, 张胜坤, 张博, 陆方, 曹先安, 朱炜, 侯晓远. GaS/GaAs界面电学性质研究. 物理学报,
1997, 46(3): 612-617.
doi: 10.7498/aps.46.612
|
| [8] |
徐世红, 陆尔东, 余小江, 潘海斌, 张发培, 徐彭寿. 稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究. 物理学报,
1996, 45(11): 1898-1904.
doi: 10.7498/aps.45.1898
|
| [9] |
陆尔东, 徐彭寿, 余小江, 徐世红, 潘海斌, 张新夷. GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH3CSNH2/NH4OH处理. 物理学报,
1996, 45(4): 715-720.
doi: 10.7498/aps.45.715
|
| [10] |
陈维德, 金高龙, 崔玉德, 段俐宏, 高志强. CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化. 物理学报,
1995, 44(8): 1328-1334.
doi: 10.7498/aps.44.1328
|
| [11] |
陈艳, 董国胜, 张明, 金晓峰, 陆尔东, 潘海斌, 徐彭寿, 张新夷, 范朝阳. Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究. 物理学报,
1995, 44(1): 145-151.
doi: 10.7498/aps.44.145
|
| [12] |
张明, 董国胜, 徐敏, 陈艳, 金晓峰, 朱兴国. 亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应. 物理学报,
1995, 44(1): 115-121.
doi: 10.7498/aps.44.115
|
| [13] |
卫星, 龚大卫, 杨小平, 吕宏强, 崔堑, 盛篪, 张翔九, 王迅, 王勤华, 陆昉, 孙恒慧. 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰. 物理学报,
1993, 42(12): 1968-1973.
doi: 10.7498/aps.42.1968
|
| [14] |
张明, 董国胜, 李喆深, 徐敏, 金晓峰, 王迅, 朱兴国. Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究. 物理学报,
1993, 42(8): 1333-1339.
doi: 10.7498/aps.42.1333
|
| [15] |
钟战天, 罗文哲, 牟善明, 张开颜, 李侠, 李承芳. P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究. 物理学报,
1992, 41(4): 683-688.
doi: 10.7498/aps.41.683
|
| [16] |
卢学坤, 侯晓远, 董国胜, 丁训民. α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究. 物理学报,
1992, 41(4): 689-696.
doi: 10.7498/aps.41.689
|
| [17] |
卢学坤. 用HREELS,XPS,LEED研究Al-GaAs(100)(4×1)界面反应. 物理学报,
1988, 37(11): 1882-1887.
doi: 10.7498/aps.37.1882
|
| [18] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究. 物理学报,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
| [19] |
戴道宣, 唐厚舜, 倪宇红, 余夕同. Al/GaAs界面反应的XPS研究. 物理学报,
1983, 32(10): 1328-1332.
doi: 10.7498/aps.32.1328
|
| [20] |
徐亚伯, 董国胜, 丁训民, 杨曙, 王迅. GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究. 物理学报,
1983, 32(10): 1339-1343.
doi: 10.7498/aps.32.1339
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