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InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性

李宏伟 王太宏

InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性

李宏伟, 王太宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-08-07
  • 修回日期:  2000-09-19
  • 刊出日期:  2001-02-20

InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69925410和19904015)资助的课题.

摘要: 设计了含有InAs自组装量子点(SAQDs)的新型金属半导体金属隧穿结构,研究了其直流输运特性,观察到了电流迟滞回路现象.这种回路现象是由于紧邻金属肖特基接触的量子点充电和放电引起的,也可以说是由外加电压控制的量子点的单电子过程引起的.分析了量子点总体的充放电特性,量子点中电子在高电场下隧穿出量子点的概率变化决定了量子点的放电过程,而充电过程是由流过量子点层的二极管正向电流决定.理论拟合结果显示充电过程主要由于量子点基态能级俘获电子照成的,激发态对量子点充放电过程只有微弱影响.

English Abstract

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