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用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件,并测量了其伏安特性,根据单电子系统的半经典理论,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟.结果表明,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合理性,此外发现,虽然单电子器件两电极间含有众多的纳米粒子,但在低压区,其伏安特性只与少数纳米粒子有关
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关键词:
- 单电子器件 /
- MonteCarlo模拟 /
- 分子自组装
Ｓｉｎｇｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｔｈｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｙｔｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄｔｈｅｉｒｖｏｌｔａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｍｅａｓｕｒｅｄ .Ｏｎｔｈｅｏｔｈｅｒｈａｎｄ,ｓｉｎｇｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｄｅｖｉｃｅｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄｂｙｔｈｅＭｏｎｔｅＣａｒｌｏｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｂａｓｅｄｏｎａｓｅｍｉ ｃｌａｓｓｉｃａｌｔｈｅｏｒｙｏｆｓｉｎｇｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｐｈｅｎｏｍｅｎａ.Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｄｖｏｌｔａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔｃｕｒｖｅｉｓｓｉｍｉｌａｒｔｏｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｄｏｎｅ.Ｔｈｉｓｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅａｂｏｖｅｍｅｔｈｏｄｍａｙｂｅｕｓｅｄｔｏｓｔｕｄｙｓｉｎｇｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｄｅｖｉｃｅｓ.Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ ,ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｄｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｔｈｅｖｏｌｔａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆａｓｉｎｇｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｄｅｖｉｃｅｉｓｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄｏｎｌｙｂｙｔｈｅｓｍａｌｌｑｕａｎｔｉｔｙｏｆｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｉｎｔｈｅｌｏｗｖｏｌｔａｇｅｒｅｇｉｏｎｔｈｏｕｇｈｔｈｅｒｅａｒｅａｌａｒｇｅｎｕｍｂｅｒｏｆｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｔｗｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ.
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