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利用场发射显微镜研究O2对单壁碳纳米管场发射的影响

张兆祥 张耿民 侯士敏 张 浩 刘惟敏 赵兴钰 薛增泉 顾镇南

利用场发射显微镜研究O2对单壁碳纳米管场发射的影响

张兆祥, 张耿民, 侯士敏, 张 浩, 刘惟敏, 赵兴钰, 薛增泉, 顾镇南
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-02
  • 刊出日期:  2003-05-20

利用场发射显微镜研究O2对单壁碳纳米管场发射的影响

  • 1. (1)北京大学电子学系,北京 100871; (2)北京大学化学与分子工程学院,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60231010,90206048,60171025,60128101),国家重点基础研究资助项目(批准号:2001CB610503),教育部博士点基金(批准号:20020001003)和教育部留学回国科研启动基金资助的课题

摘要: 利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的IV特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的IV特性变化.

English Abstract

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