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半导体中的杂质能级

霍裕平

半导体中的杂质能级

霍裕平
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出版历程
  • 收稿日期:  1962-01-15
  • 修回日期:  1962-09-21
  • 刊出日期:  2005-08-05

半导体中的杂质能级

摘要: 分析了杂质原子在半导体中的成键情况,我们在一般能带波函数中混入部分分子型局域波函数,从而得到带有修正项的有效质量方程。在简单能带结构情况下,我们讨论了电离能与原子性质的关系,及由浅能级向深能级的转化。进而分析了由于Ge、Si中导带各极值所产生的谷轨道分裂。对浅能级,由于键间相互作用,电离能可以有相对较大的修正,但波函数却变化很小,这与电子自旋共振超精细结构的实验结果一致。

English Abstract

参考文献 (1)

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