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Vol. 19, No. 5 (1963)

1963年03月05日
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半导体中的杂质能级
霍裕平
1963, 97 (5): 273-284. doi: 10.7498/aps.19.273
摘要 +
分析了杂质原子在半导体中的成键情况,我们在一般能带波函数中混入部分分子型局域波函数,从而得到带有修正项的有效质量方程。在简单能带结构情况下,我们讨论了电离能与原子性质的关系,及由浅能级向深能级的转化。进而分析了由于Ge、Si中导带各极值所产生的谷轨道分裂。对浅能级,由于键间相互作用,电离能可以有相对较大的修正,但波函数却变化很小,这与电子自旋共振超精细结构的实验结果一致。
钼单晶体的范性形变
周邦新
1963, 97 (5): 285-296. doi: 10.7498/aps.19.285
摘要 +
在本文中,用金相和X射线方法,研究了24个取向不同的钼单晶体在-80℃(-50℃)、27℃、1000℃和~2000℃拉伸后的情况。分析研究的结果,认为观察到的{112}、{123}、{145}等滑移痕迹,是由于在两组不平行的{110}面上,沿着同一个方向组合滑移后构成的外观面貌,而滑移面是密排的{110}面。外观滑移面(从滑移痕迹测定出的)会随样品取向不同而发生变化。当变形温度改变时,同一个样品的外观滑移面可能改变,也可能不改变,这要由样品的取向来决定。
钼单晶体的冷轧及再结晶织构
周邦新
1963, 97 (5): 297-305. doi: 10.7498/aps.19.297
摘要 +
本文研究了(110)[001]和(111)[112]取向的钼单晶体,在经过70%、80%和85%冷轧后的加工織构,以及退火后的再结晶織构。分析了(111)[112]取向晶体在轧制变形时,由于各组滑移系间的交互作用而引起晶体取向的转动,从定向生核的观点,能够比较满意地解释这类取向的晶体随着压下量从70%增加到85%,再结晶織构从(221)[114]、(110)[001]向着(320)[001]和(210)[001]逐渐变化的现象。
论散射过程相分析中的不定性问题
黄念宁
1963, 97 (5): 306-319. doi: 10.7498/aps.19.306
摘要 +
从散射过程的相分析中存在不同的相移的选取所必须满足的条件出发,在本工作中,讨论了任意自旋粒子的弹性散射过程的相分析中的不定性问题。给出了全部不同的相的集合之间的变换矩阵,其中所含的实参数由二阶代数方程组决定,因此相分析中的不定性问题化为解这些代数方程的实根的问题。指出此实根的组数之半即为相分析中不同选取的组数。这样,相分析中的运动学不定性问题已完全解决。当道自旋为1/2时,只存在两组不同的相移,当道自旋为1时,也只有两组不同的相移,因此证明了,已知的南氏不定性是这样的自旋值下的全部不定性。在道自旋为3/2时,给出了四给不同的相移。因此除已找出的相移间的变换外,还存在两种新的变换。物理上说,相分析中的不定性相应于自旋的某种运动,它保持自旋张量在动量方向的分量不变,且表征此种运动的参量取一定数值。从讨论中得出,道自旋为整数的情况和为半整数的情况,相移的变换矩阵中所含的实参数所满足的代数方程组具有十分不同的性质,因此实根的组数也不同。这表示,道自旋为整数和为半整数的情况的相移的不同选取的组数也完全不同。一般的推测是,道自旋为整数的情况时的相移不同选取要比为半整数时的少很多。
电磁辐射的相干性
王之江
1963, 97 (5): 320-335. doi: 10.7498/aps.19.320
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本文的主要目的在综合评述近年来在光的相干性方面研究的成就。表明光子简并度和相干度等在有关问题中起重要作用,诸如干涉、拍频、强度起伏等。由于辐射过程的随机性质,拍频信号的强度由过程的相关度决定;由于光子是玻色子,这就决定了强度起伏中有相关项。从已有实验结果看来,光的相于性完全可从量子力学的基础概念得到解释。
两无限长共轴椭锥体间的特性阻抗
林为干
1963, 97 (5): 336-340. doi: 10.7498/aps.19.336
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