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												2022, 71(1): 012903.
												
												doi: 10.7498/aps.71.20211062 | 
							
									| [2] | 刘洁, 王禄, 孙令, 王文奇, 吴海燕, 江洋, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘. 基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器. 物理学报,
												2018, 67(12): 128101.
												
												doi: 10.7498/aps.67.20180588 | 
							
									| [3] | 张镜水, 孔令琴, 董立泉, 刘明, 左剑, 张存林, 赵跃进. 太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究. 物理学报,
												2017, 66(12): 127302.
												
												doi: 10.7498/aps.66.127302 | 
							
									| [4] | 霍大云, 石震武, 张伟, 唐沈立, 彭长四. InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究. 物理学报,
												2017, 66(6): 068501.
												
												doi: 10.7498/aps.66.068501 | 
							
									| [5] | 廖开升, 李志锋, 李梁, 王超, 周孝好, 戴宁, 李宁. 阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应. 物理学报,
												2015, 64(22): 227302.
												
												doi: 10.7498/aps.64.227302 | 
							
									| [6] | 孟庆端, 贵磊, 张晓玲, 张立文, 耿东峰, 吕衍秋. 基于内聚区模型的InSb面阵探测器分层研究. 物理学报,
												2014, 63(11): 118503.
												
												doi: 10.7498/aps.63.118503 | 
							
									| [7] | 臧鸽, 黄永清, 骆扬, 段晓峰, 任晓敏. 高速高饱和单行载流子光探测器的设计与分析. 物理学报,
												2014, 63(20): 208502.
												
												doi: 10.7498/aps.63.208502 | 
							
									| [8] | 张治国. 垂直多结光伏型集成硅X射线探测器的实现和实验. 物理学报,
												2014, 63(24): 248501.
												
												doi: 10.7498/aps.63.248501 | 
							
									| [9] | 霍文娟, 谢红云, 梁松, 张万荣, 江之韵, 陈翔, 鲁东. 单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究. 物理学报,
												2013, 62(22): 228501.
												
												doi: 10.7498/aps.62.228501 | 
							
									| [10] | 孟庆端, 余倩, 张立文, 吕衍秋. InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究. 物理学报,
												2012, 61(22): 226103.
												
												doi: 10.7498/aps.61.226103 | 
							
									| [11] | 张岭梓, 左玉华, 曹权, 薛春来, 成步文, 张万昌, 曹学蕾, 王启明. 单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究. 物理学报,
												2012, 61(13): 138501.
												
												doi: 10.7498/aps.61.138501 | 
							
									| [12] | 张爽, 赵德刚, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 王玉田, 段俐宏, 刘文宝, 江德生, 杨辉. 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响. 物理学报,
												2009, 58(11): 7952-7957.
												
												doi: 10.7498/aps.58.7952 | 
							
									| [13] | 周梅, 赵德刚. 以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器. 物理学报,
												2009, 58(10): 7255-7260.
												
												doi: 10.7498/aps.58.7255 | 
							
									| [14] | 殷菲, 胡伟达, 全知觉, 张波, 胡晓宁, 李志锋, 陈效双, 陆卫. 激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度. 物理学报,
												2009, 58(11): 7884-7890.
												
												doi: 10.7498/aps.58.7884 | 
							
									| [15] | 赵红东, 宋殿友, 张智峰, 孙  静, 孙  梅, 武  一, 温幸饶. n型DBR中电势对垂直腔面发射激光器阈值的影响. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.53.3744 | 
							
									| [16] | 王渭源. 用阶跃恢复法测定砷化镓结型(p-n和M-S结)两极管的载流子寿命. 物理学报,
												1979, 28(3): 341-349.
												
												doi: 10.7498/aps.28.341 | 
							
									| [17] | 虞孝栋, 吴道怀, 唐福娣, 谭浩然. 用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题. 物理学报,
												1966, 22(9): 976-981.
												
												doi: 10.7498/aps.22.976 | 
							
									| [18] | 王守武. 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命. 物理学报,
												1963, 19(3): 176-190.
												
												doi: 10.7498/aps.19.176 | 
							
									| [19] | 庄蔚华, 潘贵生. 用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命. 物理学报,
												1963, 19(3): 191-201.
												
												doi: 10.7498/aps.19.191 | 
							
									| [20] | 王守武. 关于p-n合金结中少数载流者的注射理论. 物理学报,
												1958, 14(1): 82-94.
												
												doi: 10.7498/aps.14.82 |