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丝状发光的GaAs注入式半导体激光器中结电流密度与载流子浓度的分布

顾世杰 霍崇儒

丝状发光的GaAs注入式半导体激光器中结电流密度与载流子浓度的分布

顾世杰, 霍崇儒
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出版历程
  • 收稿日期:  1978-05-04
  • 刊出日期:  2005-07-30

丝状发光的GaAs注入式半导体激光器中结电流密度与载流子浓度的分布

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文从一简单模型出发,计算了丝状发光器件的电流密度、电压、载流子浓度和增益分布。以数值结果揭示外延层的体电阻率及厚度、活性区载流子的扩散长度、模增益和丝区宽度等参量对上述各种分布的影响。特别是电阻率,对丝区宽度将有显著影响。模型把外电路的可测量与器件的发光特性联系在一起,指出平均工作电流密度与发光丝区的电流密度之明显差别。结果也表明,器件材料的不均匀性对丝的定位将有重要作用。

English Abstract

参考文献 (1)

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