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YIG和BCVIG中铁磁共振线宽各向异性的可能起因

张鹏翔 莫育俊

YIG和BCVIG中铁磁共振线宽各向异性的可能起因

张鹏翔, 莫育俊
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-11-11
  • 刊出日期:  2005-07-27

YIG和BCVIG中铁磁共振线宽各向异性的可能起因

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 由于磁弹耦合,应力等效为各向异性场并对磁化强度分布发生影响。借助这一机制阐明了机械抛光的YIG和BCVIG单晶球铁磁共振线宽的各向异性行为,指明机械抛光造成的表面损伤层引起的应力通过磁致伸缩的各向异性使弛豫时间各方向不同,即产生了线宽的各向异性。若损伤层主要由位错组成,按微磁学理论和双磁振子散射模型可得到位错密度、磁致伸缩、磁化强度等与线宽的关系。从测量到的线宽各向异性估算了3μm抛光的YIG的表面层位错密度为5.4×1010/cm2。该弛豫机制表明,进一步降低多晶小线宽材料的线宽,减小磁致伸缩系数可能是有效途径。

English Abstract

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