搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

多晶Li3+xV1-xTxO4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善

石磊 王超英 王连忠 陈立泉

多晶Li3+xV1-xTxO4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善

石磊, 王超英, 王连忠, 陈立泉
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2514
  • PDF下载量:  497
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1984-02-17
  • 刊出日期:  2005-03-28

多晶Li3+xV1-xTxO4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系,83届毕业生; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 本文用阻抗谱方法研究了Li3+xV1-xTxO4(T=Si,Ge)多晶的离子导电性,发现一些工艺条件如成型压强、烧结时间和烧结程序对电导率有很大影响。注意分析了这些影响的物理起因。最佳工艺条件是:在大约8t/cm2压强下成型样品。在1000℃连续烧结5至6天,烧结过程中,应尽量避免温度波动。在此条件下制备的Li3.5V0.5Ge0.5

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回