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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

胡伟敏 茅德强 任尚元 李名复

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

胡伟敏, 茅德强, 任尚元, 李名复
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-09-22
  • 刊出日期:  2005-03-18

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学研究生院
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。

English Abstract

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