搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能

马允胜 孙鑫 傅柔励

强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能

马允胜, 孙鑫, 傅柔励
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2581
  • PDF下载量:  419
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1991-07-26
  • 刊出日期:  2005-07-03

强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能

  • 1. (1)复旦大学物理系,上海200433; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε1(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回