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C60分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究

陈皓明 凌勇 薛其坤 樱井利夫

C60分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究

陈皓明, 凌勇, 薛其坤, 樱井利夫
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-19
  • 刊出日期:  1997-08-20

C60分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究

  • 1. (1)清华大学现代应用物理系; (2)清华大学现代应用物理系;日本东北大学金属材料研究所; (3)日本东北大学金属材料研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用扫描隧道显微镜(STM)系统地研究了C60薄膜在GaAs(001)表面的异质外延生长.在GaAs(001)2×4-β相表面,观察到C60薄膜以非密排面进行生长,并在生长中有结构相变产生.实验数据表明,薄膜下层面心立方(fcc)的晶格常数比C60晶体的晶格常数要大13%;而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆(hcp)结构,其表面为hcp(1100)面,生长过程是非理想的层状生长模式.在GaAs(001)-c(4×4)衬底上,C60薄膜的表面仍然是fcc(111)面,其结构参数与C60晶体一致,但C60薄膜采用了三维模式进行生长

English Abstract

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