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BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

赵元富 刘家璐 张廷庆 李建军

BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

赵元富, 刘家璐, 张廷庆, 李建军
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-11-04
  • 刊出日期:  1997-08-20

BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

  • 1. (1)骊山微电子研究所; (2)西安电子科技大学微电子研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 借助二次离子质谱(SIMS)技术,深入地、系统地分析了80keV,2×1015 cm-2BF2+注入多晶硅栅在常规热退火条件下,F在多晶硅栅中的分布及迁移特性.F在多晶硅栅中的迁移,不但存在着扩散机制,而且还存在着发射和吸收机制,据此成功地解释了实验结果

English Abstract

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