搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应

徐传骧 岳瑞峰 王佑祥 陈春华

Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应

徐传骧, 岳瑞峰, 王佑祥, 陈春华
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2526
  • PDF下载量:  545
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1996-11-21
  • 刊出日期:  1997-08-20

Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应

  • 1. (1)西安交通大学电气绝缘研究所; (2)中国科学院表面物理国家重点实验室;西安交通大学电气绝缘研究所; (3)中国科学院表面物理国家重点实验室;中国科学院半导体研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 在抛光的200℃莫来石陶瓷衬底上电子束蒸发淀积200nm的Ti膜,并在高真空中退火,利用二次离子质谱(SIMS)、俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD)研究了从200—650℃Ti与莫来石的固相界面反应.结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti—O键,并有微量元素态Al,Si原子析出,界面区很窄;450℃,1h退火后,界面区有所展宽,但变化不大;650℃,1h退火后,界面发生强烈反应,样品主要由TiO+Ti,Ti3Al,Ti3Al+TiSi2和莫来石陶瓷衬底四层结构组成

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回