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X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

朱海军 蒋最敏 徐阿妹 毛明春 胡冬枝 张翔九 王迅 郑文莉 姜晓明

X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

朱海军, 蒋最敏, 徐阿妹, 毛明春, 胡冬枝, 张翔九, 王迅, 郑文莉, 姜晓明
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-12-30
  • 刊出日期:  1997-09-20

X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室; (2)中国科学院高能物理研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术,研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响.当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时,外延Ge层形成岛状,应力完全释放.当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的,并且应力释放是缓慢的,即使Ge外延层厚为6nm,仍有42%的应变没有弛豫.

English Abstract

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