搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

萘酞菁LB膜取向液晶研究

顾建华 陆祖宏 吕瑞波 徐克 张舒雁

萘酞菁LB膜取向液晶研究

顾建华, 陆祖宏, 吕瑞波, 徐克, 张舒雁
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2849
  • PDF下载量:  676
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1999-03-28
  • 修回日期:  1999-04-26
  • 刊出日期:  1999-12-20

萘酞菁LB膜取向液晶研究

  • 1. (1)东南大学分子与生物分子电子学开放实验室,南京 210096; (2)复旦大学物理系,三束材料改性国家重点实验室,上海 200433

摘要: 利用二(3-叔丁基硅氧基)萘酞菁硅 (SiNc) Langmuir-Blodgett (LB) 膜对丝状液晶的定向进行了研究,发现在不同膜压下沉积的SiNc LB膜具有不同的定向效果.在15mN/m低膜压下沉积的LB膜上丝状液晶主要呈沿膜面水平排列,而30mN/m高膜压下沉积的LB膜则取垂直膜面取向.原子力显微镜(AFM)对相应的LB单层膜和多层膜进行的分子尺度上的形貌研究发现,高膜压条件下SiNc分子以分离的单体或聚集体形式非连续地在基片上呈线性堆积排列,形成一定的分子“纳米线”,并且大环平面垂直于基片

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回