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酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结研究

曹宁通 张雷 吕路 谢海鹏 黄寒 牛冬梅 高永立

酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结研究

曹宁通, 张雷, 吕路, 谢海鹏, 黄寒, 牛冬梅, 高永立
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  • 利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等 表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构. 角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构. 低能电子衍射结果表明,CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[1120],[1210]和[2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响. 原子力显微镜结果表明,CuPc在MoS2 衬底上遵循层状-岛状生长模式:在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm),CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜; 在较高的沉积厚度下,CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性. 光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:51173205)、中央高等学校基本科研基金(批准号:2013zzts155)和中南大学贵重仪器设备开放共享基金(批准号:CSUZC2014023)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-10
  • 修回日期:  2014-04-29
  • 刊出日期:  2014-08-20

酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结研究

  • 1. 中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所, 长沙 410083;
  • 2. Department of Physics and Astronomy, University of Rochester, Rochester 14627, USA
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51173205)、中央高等学校基本科研基金(批准号:2013zzts155)和中南大学贵重仪器设备开放共享基金(批准号:CSUZC2014023)资助的课题.

摘要: 利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等 表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构. 角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构. 低能电子衍射结果表明,CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[1120],[1210]和[2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响. 原子力显微镜结果表明,CuPc在MoS2 衬底上遵循层状-岛状生长模式:在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm),CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜; 在较高的沉积厚度下,CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性. 光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.

English Abstract

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