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基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落

章 健 吴长勤 孙 鑫

基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落

章 健, 吴长勤, 孙 鑫
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-03-18
  • 刊出日期:  1999-06-05

基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落

  • 1. 复旦大学理论物理研究中心,物理系,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金委员会杰出青年科学基金(批准号:19725414),国家自然科学基金(批准号:19504001),国家高技术发展计划(批准号:863-715-010)和上海市科学技术委员会启明星后基金资助的课题.

摘要: 通过一个简单的孤子反孤子对模型来模拟一维有机高分子中的量子晶格涨落,高分子中电子能隙内的光吸收是由孤子反孤子对激发的两个分别来源于导带的最低未占据和价带的最高占据离散能级之间的跃迁所产生的.这样的光吸收没有能隙.结果明显表明,基态非简并将抑制量子晶格涨落,从而减少电子能隙内的光吸收,使得基态非简并高分子的光吸收有一相对明显的吸收边,这与实验是一致的.

English Abstract

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