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ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟

赵 辉 王永生 徐 征 徐叙瑢

ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟

赵 辉, 王永生, 徐 征, 徐叙瑢
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-07-15
  • 刊出日期:  1999-03-20

ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟

  • 1. 北方交通大学光电子技术研究所,北京 100044
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:715-0082)及高等学校博士学科点专项基金(批准号:97000401)资助的课题.

摘要: 计算了ZnS中电子谷间散射的速率.利用蒙特卡罗方法,研究了ZnS型薄膜电致发光器件中电子的能谷转移过程.得出了能谷转移的瞬态过程,电场对谷间分布的影响以及不同能谷中电子动能分布的特点.提出了高能谷的能量存储效应.这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据.

English Abstract

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