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Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

张发培 郭红志 徐彭寿 祝传刚 陆尔东 张新夷 梁任又

Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-01-20

Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19574042)资助的课题.

摘要: 利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH\-3CSNH\-2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现 其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥 键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co—S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

English Abstract

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